|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Positive persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5Asстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.
- Авторы: Kraak W., Bogdanov E.V., Minina N.Ya, Savin A.M., Hansen O.P.
- Сборник: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
- Год издания: 2001
- Первая страница: 44
- Последняя страница: 47
- DOI: 10.1117/12.417804
- Аннотация: Illumination of a double p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructure by a red light emitting diode results in a negative photoconductivity that, after the diode is switched off, slowly relaxes to a positive persistent photoconductivity, characterized by about 1.5 increase of a two-dimensional hole concentration. This metastable state may be explained in a frame work of the model in which deep electron traps are supposed to be located above the Fermi level on the inverted heterointerface.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович