Аннотация:В условиях одноосного сжатия до 5 кбар исследованы транспортные свойства двумерного электронного и дырочного газа на гетерогранице (001)GaAs/AlXGa1-XAs. Из измерений эффекта Холла, квантовых осцилляций сопротивления и проводимости определены подвижности и концентрации носителей заряда. Как установлено численными расчетами одноосное сжатие в плоскости структуры существенно изменяет энергетический спектр p GaAs/AlXGa1 XAs, что приводит к обнаруженной под давлением сильной анизотропии подвижностей двумерных дырок. В случае гетероструктур n-типа одноосное сжатие вызывает лишь заметное изменение концентрации носителей и соответствующее небольшое изменение анизотропии подвижностей двумерных электронов, которая целиком объясняется зависимостью анизотропного рассеяния на шероховатостях гетерограницы от концентрации носителей.