|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Anisotropy of long-term resistivity relaxations induced in p (001)GaAs/Al0.5Ga0.5As by uniaxial stressтезисы доклада
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Savin A.M., Sorensen C.B., Hansen O.P., Berman I.V.
- Сборник: Book of Abstracts of XXXIX European High Pressure Research Group Meeting
- Тезисы
- Год издания: 2001
- Место издания: Cantabria (Spain)
- Первая страница: 83
- Аннотация: Исследована анизотропия долговремнных релаксаций сопротивления в p-(001)GaAs/Al{0.5}Ga{0.5}As при сжатии вдоль направлений[110] и [1-10], сопровождаемых уменьшением или увеличением концентрации 2D носителей в квантовой яме. Показано, что за этот эффект ответственно пьезоэлектрическое поле в GaAs, которое меняет знак при сжатии вдоль [110] или [1-10].
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна