Anisotropy of two-dimensional electron and hole mobilities in (001)GaAs/AlxGa1 xAs heterostructures under uniaxial stress

Авторы: Savin A.M., Minina N.Ya, Sorensen C.B., Hansen O.P., Berman I.V.
Сборник: Book of Abstracts of XXXIX European High Pressure Research Group Meeting
Тезисы
Год издания: 2001
Место издания: Cantabria (Spain)
Первая страница: 35
Аннотация: Наблюдаемое сильное увеличение анизотропии подвижностей 2D дырок в квантовой яме на гетерогранице p-GaAs/Al{X}Ga{1-X}As при одноосном сжатии объяснено анизотропным изменением их энергетического спектра при одноосной деформации. В аналогичных гетероструктурах n-типа изменение анизотропии подвижностей мало, может быть объяснено поверхностным рассеянием на шероховатостях гетерограницы и не дает оснований предполагать изменения анизотропии электронной поверхности Ферми.
Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА