|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Thermoactivated conductivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As below 5 K under combined influence of illumination and uniaxial stressтезисы доклада
- Авторы: Kraak W., Minina N.Ya, Savin A.M., Ilievsky A.A., Sorensen C.B., Berman I.V.
- Сборник: Tenth International Conference on High Pressure Semiconductor Physics. Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Guildford (UK)
- Первая страница: Th03
- Аннотация: Обнаружено, что при освещении гетероструктуры p GaAs/Al0.5Ga0.5As красным светодиодом при температурах жидкого гелия возникает отрицательная фотопроводимость, которая при выключении подсветки медленно релаксирует к темновому значению. Отрицательная фотопроводимость сильно зависит от температуры и исчезает уже при 5.5 К. Энергия термоактивации оценена из температурной зависимости концентрации двумерных дырок в квантовой яме и составляет ~1 мэВ. При одноосном сжатии эта величина возрастает.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна