|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Анизотропия свойств двумерных дырок на гетерогранице p-GaAs/AlGaAs, индуцированная одноосным сжатиемтезисы доклада
- Авторы: Бенеславский С.Д., Богданов Е.В., Минина Н.Я., Полянский А.В., Савин А.М.
- Сборник: Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 279
- Последняя страница: 280
- Аннотация: Численными расчетами энергетического спектра установлено, что при одноосном сжатии в плоскости гетероструктуры поверхность Ферми 2D дырок становится сильно анизотропной. Уже при относительно небольших напряжениях Р = 2 кбар поверхность Ферми в обоих спиново-расщепленных подзонах основного состояния тяжелых дырок превращается в эллипсоиды, вытянутые в направлении перпендикулярном направлению приложенной нагрузки. Такое изменение энергетического спектра приводит к сильной анизотропии подвижности, экспериментально обнаруживаемой в ходе исследований сопротивления, эффекта Холла и осцилляций Шубникова-де Гааза на образцах p-(001)GaAs/Al0.5Ga0.5As при сжатии вдоль направлений [110] и [1-10]. Теоретический расчет спектров межзонного поглощения света в гетероструктурах p GaAs/AlXGa1-XAs показывает, что вызванная одноосной деформацией анизотропия энергетического спектра и волновых функций 2D дырок приводит также к различному поглощению излучения в дальней инфракрасной области в зависимости от того, поляризован свет параллельно или перпендикулярно направлению сжатия образца.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна