|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Anisotropy phenomena in 2D hole gas at GaAs/AlXGa1-XAs heterointerface under uniaxial stressтезисы доклада
- Авторы: Minina N.Y., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Savin A.M.
- Сборник: Abstracts JOINT AIRAPT-19 & EHPRG-41 Intern. Conf. on High Pressure Science and Technology
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Bordeaux (France)
- Первая страница: P163
- Аннотация: Индуцированная одноосным сжатием сильная анизотропия транспортных, кинетических и оптических свойств гетероструктур p-(001)GaAs/AlхG1-хAs изучена теоретически и экспериментально. Как показали численные расчеты деформация приводит к анизотропии энергетического спектра двумерных дырок в плоскости приложения нагрузки, которая проявляется в экспериментально наблюдаемой барической зависимости анизотропии подвижности дырок, а также в сильной чувствительности коэффициента поглощения в далеком инфракрасном диапазоне к величине одноосной деформации и степени поляризации излучения. Наблюдается и анизотропия релаксации пьезосопротивления в гетероструктурах p-(001)GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be после приложения нагрузки вдоль направления [1-10] сопротивление релаксирует к меньшему значению, а при сжатии вдоль [100] – к большему. Показано, что метастабильное состояние, приводящее к долговременным релаксациям пьезосопротивления и их анизотропии, вызывается возникновением в структуре пьезоэлектрического поля, которое меняет знак при сжатии вдоль направлений [1-10] и [110].
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна