Аннотация:В работе исследовано термоактивационное поведение коэффициента Холла в двойной гетероструктуре p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As в широком диапазоне температур от 1.5 до 200-250 К при облучении красным светодиодом. Анализ термических зависимостей концентрации двумерных дырок позволил оценить высоту термоактивационного барьера для донороподобных уровней. Установлено, что для уровней на нормальной гетерогранице его величина составляет приблизительно 3 мэВ и около 6 мэВ на инвертированной гетерогранице.