|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Photoconductivity in p- GaAs/Al0.5Ga0.5As and deep donor like states at the heterointerfaceтезисы доклада
- Авторы: Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Kraak W., Minina N.Ya
- Сборник: Abstracts. 2nd International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: Chisinau (Moldova)
- Первая страница: 223
- Аннотация: Обнаружено, что в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при температурах ниже 5.5 К сопротивление в освещенном состоянии проявляет термоактивационный характер, в то время как темновая зависимость сопротивления сохраняет металлический характер. Наблюдаемый эффект описывается в модели с глубокими ловушками донорного типа, расположенными вблизи гетерограницы ниже уровня Ферми. При этом значительный рост сопротивления связывается как с падением концентрации носителей заряда, так и с уменьшением их подвижности вследствие интенсификации рассеяния на ионизованных ловушках.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна