|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Uniaxial stress influence on transport properties of 2D holes at p-GaAs/AlGaAs heterointerface under the condition of low temperature photoconductivityтезисы доклада
- Авторы: Minina N.Ya, Ilievsky A.A., Kraak W., Bogdanov E.V.
- Сборник: Joint 20th AIRAPT – 43th EHPRG Conference on Science and Technology of High Pressure. Programme and Book of Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: Karlsruhe, Germany
- Первая страница: 234
- Аннотация: В работе сообщается о результатах исследования сопротивления и эффекта Холла в условиях отрицательной фотопроводимости, вызываемой освещением красным светодиодом, в гетероструктуре p-GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах и одноосных давлениях до 3.4 кбар. Установлено, что спад проводимости при освещении обусловлен как уменьшением концентрации двумерных дырок, так и падением их подвижности. При этом одноосное сжатие существенно усиливает эффект падение подвижности при освещении, а на изменение концентрации влияет слабо.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна