|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Relaxation of low temperature negative photoconductivity in p GaAs/Al0.5Ga0.5As under normal and uniaxially stressed conditionsтезисы доклада
- Авторы: Ilievskiy A.A., Minina N.Ya, Bogdanov E.V., Kolokolov K.I.
- Сборник: Book of Abstractrs & Schedule. 44th EHPRG Meeting, Prague, September 4-8th, 2006
- Тезисы
- Год издания: 2006
- Место издания: Prague (Czech Republic)
- Первая страница: 128
- Аннотация: В работе сообщается о результатах исследования релаксаций неравновесных носителей заряда в условиях отрицательной фотопроводимости, вызываемой освещением красным светодиодом, в гетероструктуре p-GaAs/AlGaAs при низких температурах и одноосных давлениях до 2 кбар. Обнаруженная сильная зависимость скорости релаксационных процессов от температуры объясняется с использованием модели, предполагающей наличие барьера между неравновесными электронами в квантовой яме и их основным состоянием на глубоких доноро-подобных ловушках в спейсере.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна