|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Near-threshold electron-impact excitation of 5p(5)6s states in Xe: an R-matrix studyстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Grum-Grzhimailo A.N., Bartschat K.
- Журнал: Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics
- Том: 35
- Номер: 16
- Год издания: 2002
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 3479
- Последняя страница: 3495
- DOI: 10.1088/0953-4075/35/16/309
- Аннотация: Electron-impact excitation of the 5p-6s levels of Xe has been studied within a 43-state semi-relativistic R-matrix (close-coupling) approach in the near threshold region. The angle-integrated and angle-differential cross sections for all four fine-structure states and the angle-resolved vacuum ultra-violet emitted radiation intensity and polarization from the 5p(5)6s (J = 1) states are obtained and compared with experimental data. The negative-ion resonances are analysed in detail.
- Добавил в систему: Грум-Гржимайло Алексей Николаевич