|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Electroluminescence in quantum well structures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial stressтезисы доклада
- Авторы: Berman I.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Сборник: 13th International Conference on High Pressure Semiconductors Physics (HPSP 13). July, 22-25, 2008. Fortaleza
- Тезисы
- Год издания: 2008
- Место издания: Fortaleza, Brazil
- Первая страница: 60
- Аннотация: В работе сообщается о первых результатах изучения влияния одноосного сжатия вдоль направления [110] до нагрузок Р = 4.4 кбар на спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs, выращенных методом металлоорганической парофазной эпитаксии. При сжатии максимум излучения, наблюдаемый вблизи 753 нм при P = 0 и температуре 77 K, обратимо смещался в область более коротких волн, что связано с увеличением эффективной энергетической щели в GaAsP. В то же время вольт-амперные характеристики меняются сложным образом: если в области слабых прямых полей до U = 1.65 В отмечается падение проводимости при сжатии, то при больших значениях прямого поля U > 1.65 проводимость под нагрузкой возрастает. Эти результаты объясняются, если кроме трансформации энергетического спектра учесть и появление пьезоэлектрических полей в условиях одноосного сжатия.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна