Аннотация:При одноосном сжатии вдоль направлений [110] и [1-10] до давлений Р = 4 кбар исследованы спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики (ВАХ) двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs. Спектры электролюминесценции были получены для ряда значений нагрузки при токах через структуры до 30 мА. Независимо от направления сжатия максимум излучения смещался под нагрузкой в область более коротких длин волн. Трансформация ВАХ с нагрузкой в области прямых смещений качественно отличалась в зависимости от направления сжатия: если при сжатии вдоль [110] пороговое поле уменьшалось, то при сжатии вдоль [1-10] оно возрастало. Это вероятно связано с пьезоэффектом, поскольку в структурах на ориентированных в плоскости (100) подложках при сжатии вдоль [110] пьезополе направлено от поверхности к подложке (т.е. именно от p- к n-области в исследованных образцах) и в обратном направлении - при сжатии вдоль [1-10].