|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Electroluminescence spectra and current-voltage characteristics in laser diode structures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compressionтезисы доклада
- Авторы: Bogdanov E.V., Chuyas A.V., Kissel H., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Сборник: Abstracts. 4th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics. Chisinau. September 23-26, 2008
- Тезисы
- Год издания: 2008
- Место издания: Chisinau, Moldova
- Первая страница: 203
- Аннотация: В работе сообщается о результатах изучения влияния одноосного сжатия вдоль направлений [110] и [1-10] на спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs. При сжатии вдоль обоих направлений максимум излучения, наблюдаемый вблизи 753 нм при P = 0 и температуре 77 K, смещался в область более коротких волн, а интенсивность электролюминисценции возрастает в 2 – 3 раза при максимальных нагрузках P = 4 кбар. В то же время вольт-амперные характеристики меняются качественно различным образом: если при сжатии вдоль [110] проводимость нарастает, то при сжатии вдоль [1-10] она уменьшается. Такая трансформация вольт-амперных характеристик связывается с появлением пьезоэлектрического поля при деформации.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна