|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Электролюминесценция и зонная диаграмма наноструктур p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я., Орел А.Б., Широков С.С., Юнович А.Э.
- Сборник: 35 совещание по физике низких температур. Тезисы докладов. Черноголовка, 29 сентября – 2 октября 2009
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: Москва
- Первая страница: 231
- Последняя страница: 232
- Аннотация: Обнаруженные при исследовании влияния одноосного сжатии до 4 кбар вдоль направлений [110] и [1-10] на спектр электролюминесценции наноструктур p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs эффекты значительного, в два и более раз, возрастания интенсивности излучения и сдвига положения максимума в коротковолновую область могут быть связаны, как показывают выполненные численные расчеты энергетического спектра, с трансформацией зонной диаграммы под нагрузкой.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна