Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Lern-term relaxation effects in In1-XGaXTe, In1-xTlxTe and InTe1-XSeX semiconductor solid solutions
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Авторы:
Albul A.V.
,
Bogdanov E.V.
,
Demin V.N.
,
Lebedev A.I.
,
Utenkov S.V.
Сборник:
Fifth Int. Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. Abstracts. Kyev, Ukraine, 22 May - 24 May, 2000
Тезисы
Год издания:
2000
Место издания:
Kyev, Ukraine
Первая страница:
61
Добавил в систему:
Богданов Евгений Владимирович