Аннотация:В настоящее время интенсивно развиваются новые технологии создания устройств памяти. Приоритетными являются задачи, связанные с улучшением быстродействия, увеличением объема памяти, созданием компактных энергонезависимых устройств, обладающих низкой стоимостью. Имеющиеся элементы памяти не способны сочетать в одном устройстве все перечисленные характеристики. Флэш-память является энергонезависимой, но при этом обладает низкой скоростью записи и удаления информации. DRAM – динамическая память с произвольным доступом, обладает высокой скоростью записи, но не является энергонезависимой. В качестве памяти, совмещающей в себе все перечисленные преимущества, может использоваться резистивная память, в основе которой лежит эффект переключения между состояниями с различающимися сопротивлениями.