|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности моделирования полупроводниковых лазеров с широким контактомтезисы доклада Тезисы
- Автор: Ржанов А.Г.
- Сборник: XI международный симпозиум по фотонному эхо и когерентной спектроскопии (ФЭКС – 2017). Сборник тезисов. Электронное издание
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Институт спектроскопии РАН Москва
- Первая страница: 124
- Последняя страница: 125
- Аннотация: В докладе рассматриваются аспекты математического расчёта динамики и статики излучения мощных полупроводниковых лазерных диодов. Поясняются основные физические механизмы, влияющие на мощность, спектральный состав, дальнее и ближнее поле излучения лазеров. Излагается динамическая распределённая модель полупроводникового лазера с широким контактом и возможности её реализации.
- Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич