Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Экспериментально и методом компьютерного моделирования исследовались особенности распределения интенсивности на выходной поверхности однородно изогнутого кристалла в геометрии на отражение. В качестве однородно изогнутого кристалла использовались тонкослойные гетероструктуры Si(1-x)Gex/Si. На секционных топограммах наблюдаются интерференционные деформационные полосы. При увеличении радиуса кривизны кристалла первый максимум смещается в сторону основного брэгговского максимума и уменьшается период полос. Показано, что положение максимумов интенсивности не зависит от знака кривизны кристалла. Наблюдается более заметный рост интегральной интенсивности при отрицательном знаке радиуса кривизны кристалла (положительный градиент деформации). Результаты численного моделирования дифракционных изображений хорошо согласуются с экспериментальными топограммами. Из сопоставления численного моделирования и экспериментальных топограмм можно определить радиус изгиба кристалла.
По результатам моделирования дифракционного эксперимента положение первого интерференционного максимума x1 от радиуса кривизны аппроксимируется формулой – x1=AR2/3(A - const), положение последующих максимумов xn=x1nm, где m изменяется от 0.493(R=10м) до 0.403 (R=200м), n – номер максимума.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований РФФИ № 09-02-00731-а.
PACS: 61.10.Nz, 61.72Ff, 61.72.Dd