|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
FORMATION OF BURIED INSULATING ISLAND-LIKE SIO2 LAYER IN SILICONстатья
- Авторы: Frantskevich A.V., Frantskevich N.V., Fedotov A.K., Mazanik A.V., Rau E.I., Kulinkayskas V.S.
- Журнал: Materials Science and Engineering B
- Год издания: 2005
- Добавил в систему: Рау Эдуард Иванович