Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Электронно-индуцированный потенциал в РЭМ. Особенности изучения электрической активности протяженных дефектов в Si
тезисы доклада
Авторы:
Еременко В.Г.
,
Орликовский Н.А.
,
Рау Э.И.
Сборник:
Тезисы докладов XXIII Российской конференции по электронной микроскопии
Тезисы
Год издания:
2010
Место издания:
Черноголовка
Первая страница:
102
Добавил в систему:
Рау Эдуард Иванович