Oxygen doping of HTSC and resistive switching in HTSC- based heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
Аннотация:The studies of the bipolar resistive switching effect in thin film heterojunctions (YBa2Cu3O7−δ/Ag) and (Nd 2−xCexCuO4−y/Ag) have exhibited the role of oxygen as a doping element in hole- and electron-doped HTSC compounds.