Спиновая динамика носителей заряда в процессе их локализации в монокристаллах α'-(BEDT-TTF)2IBr2статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В кристаллах α'-(BEDT-TTF)2IBr2 обнаружены резкие изменения интегральной интенсивности и ширины линии спектра электронного парамагнитного резонанса, сопровождающие локализацию носителей заряда. Обнаружены различия типов локализации в двух исследованных соединениях: в β''-(BEDT-TTF)4NH4[Cr(C2O4)3] носители заряда локализуются на нерегулярных дефектах кристаллической решетки, а в α'-(BEDT-TTF)2IBr2 - в регулярных позициях элементарной ячейки. В α'-(BEDT-TTF)2IBr2 при низких температурах (T<50 К) наблюдается обменное сужение линии электронного парамагнитного резонанса и резкое уменьшение статической и динамической магнитных восприимчивостей. При высоких температурах (T>50 К) в кристаллах α'-(BEDT-TTF)2IBr2 наблюдается различие между статической и динамической магнитными восприимчивостями, обусловленное превышением частоты термоактивированных перескоков носителей заряда над частотой измерительного сверхвысокочастотного поля спектрометра электронного парамагнитного резонанса.