Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductorsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 апреля 2015 г.
Аннотация:В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Исследование терагерцовой фотопроводимости позволило пересмотреть существующие представления о примесных метастабильных состояний в твердых растворах Pb1-xSnxTe. Совокупность полученных экспериментальных данных показывает, что свойства этих состояний уникальны и нехарактерны для других полупроводниковых материалов. Задержанная положительная фотопроводимость наблюдается в условиях сильного вырождения электронного газа. Характерные энергии спектра оказываются много выше энергии квантов, ответственных за фотовозбуждение носителей. Состояния, ответственные за фотопроводимость в терагерцовой области, расположены в непосредственной близости к квазиуровню Ферми. Эти состояния позволили впервые наблюдать фотоэлектромагнитный эффект в полупроводнике с монополярной проводимостью при воздействии импульсов мощного терагерцового лазерного излучения. Рассмотрены сравнительные характеристики терагерцовой фотопроводимости в теллуриде свинца, легированном галлием, индием и ванадием.