Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазонестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Изучены спектры магнитопоглощения и фотопроводимости в терагерцовом диапазоне при температуре T= 4.2 K объемных эпитаксиальных слоев n-Hg1-xCdxTe различных составов (как полупроводниковых, так и полуметаллического), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В рамках модели Кейна 8·8 выполнены расчеты уровней Ландау электронов и дырок. Показано, что в отличие от результатов ранних исследований все наблюдаемые резонансные линии связаны с переходами между уровнями Ландау свободных носителей (циклотронный резонанс в зоне проводимости и переходы между уровнями Ландау тяжелых дырок и электронов), что свидетельствует о высокой чистоте и структурном совершенстве образцов. Показана возможность использования бесщелевых твердых растворов Hg1-xCdxTe в качестве перестраиваемых магнитным полем фотоприемников терагерцового диапазона.