|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Relaxation of photoinduced metastable states in a-Si:H films deposited at high temperatures Kurova Iстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 апреля 2015 г.
- Авторы: Kurova I.A., Ormont N.N., Golikova O.A., Kazanin M.M.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 32
- Номер: 10
- Год издания: 1998
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1134
- Последняя страница: 1136
- Аннотация: The results of an experimental study of dark-conductivity kinetics in a-Si:H after short-term and long-term illumination, are presented. The films were deposited at temperatures in the range Ts=300-390°C. Data on relaxation of the photoinduced metastable states were found to correlate with the Fermi-level position.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна