|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Enhanced dielectric properties of SrTiO3 epitaxial thin film for tunable microwave devicesстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 декабря 2017 г.
- Авторы: Bouzehouane K., Woodall P., Marcilhac B., Khodan A.N., Crété D., Jacquet E., Mage J.C., Contour J.P.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 80
- Номер: 1
- Год издания: 2002
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 109
- Последняя страница: 111
- DOI: 10.1063/1.1428411
- Аннотация: The performance of tunable microwave devices based on heteroepitaxial YBa2Cu3Ox/SrTiO3 films on (001)LaAlO3 substrates has been evaluated. It was ascertained that "out-of-plane" SrTiO3 lattice parameter is the relevant factor in determining both device agility and dielectric loss. After high temperature annealing (1100°C, 1 atm O2 ), only SrTiO3 layers deposited under low oxygen pressure (∼10-5 Torr) show an appreciable reduction of the dielectric losses while maintaining high agility. Annealed samples exhibit voltage independent losses of ∼5×10-3 simultaneously with 55% dielectric agility at 6 GHz and 77 K.
- Добавил в систему: Ходан Анатолий Николаевич