|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Semiconductor Bridgman growth inside inertial flight mode orbiting systems of low orbital eccentricity and long orbital periodстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.
- Авторы: Ruiz X., Ermakov M.
- Журнал: Journal of Crystal Growth
- Том: 273
- Номер: 1-2
- Год издания: 2004
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 18
- DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.07.071
- Добавил в систему: Ермаков Михаил Константинович