|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Память на основе резистивных переключений в органических материалах:моделирование и перспективы создания устройствтезисы доклада
- Авторы: Дронов М.А., Котова М.С.
- Сборник: тезисы докладов на конференции 13 Российская конференция по физике полупроводников
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Екатеринбург , Институт физики металлов имени М . Н . Михеева УрО РАН , 2017
- Первая страница: 348
- Добавил в систему: Котова Мария Сергеевна