|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Pb1-xSnxTe(In) far-infrared photodetectors: a challenge to doped Si and Geстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
- Авторы: Khokhlov D.R., Raines S.N., Watson D.M., Ivanchik I.I., Pipher J.L.
- Сборник: Springer Proceedings in Physics
- Серия: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
- Том: 87
- Год издания: 2001
- Место издания: Springer
- Первая страница: 1791
- Последняя страница: 1792
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович