Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Fermi level pinning and long-term relaxation effects in doped IV-VI narrow-gap semiconductors
статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
Авторы:
Volkov B.
,
Khokhlov D.
Журнал:
HAIT Journal of Science and Engineering
Том:
1
Год издания:
2004
Первая страница:
266
Последняя страница:
273
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович