|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Separate determination of the photoelectric parameters of p+-n(p)-n+ silicon structure base region by noncontact method based on measurements of quantum efficiency relationships at two wavelengthsстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или ScopusДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 сентября 2018 г.
- Авторы: Koshelev O.G., Vasiljev N.G.
- Журнал: Modern Electronic Materials
- Том: 3
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 127
- Последняя страница: 130
- DOI: 10.1016/j.moem.2017.11.002
- Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич