|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование топографии кремниевых и кремний/германиевых наноструктур методами комбинированной сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопиитезисы доклада
- Авторы: Путилов А.В., Шалев М.В., Аладышкин А.Ю., Музыченко Д.А.
- Сборник: Труды XVIII Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-14 марта
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2014
- Место издания: Нижегородский государственный университет Россия, г. Нижний Новгород
- Первая страница: 223
- Последняя страница: 224
- Аннотация: В работе представлен анализ возможностей сканирующей туннельной микроскопии (STM) и бесконтактной атомно-силовой микроскопии (NC-AFM) для исследования электрофизических свойств твердотельных наноструктур на основе кремния. В частности, получено атомарное разрешение для поверхности Si(111)7x7 методом комбинированной STM-NC-AFM микроскопии и модуляционной STM микроскопии, что позволяет исследовать топографию неоднородных об-разцов с различной локальной проводимостью и выполнять туннельную спектроскопию с высоким пространственным и энергетическим разрешением.
- Добавил в систему: Музыченко Дмитрий Анатольевич