Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Разработка мемристоров на основе оксида титана для использования в нейроморфной электронике
статья
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Авторы:
Храповицкая Ю.В.
,
Соколов И.С.
,
Маслова Н.Е.
,
Грищенко Ю.В.
,
Занавескин М.Л.
Журнал:
Информационные технологии - приложение
Номер:
4
Год издания:
2014
Первая страница:
20
Последняя страница:
31
Добавил в систему:
Маслова Наталья Евгеньевна