|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Deep Electron and Hole Traps in Electron-Irradiated Green GaN/InGaN Light Emitting Diodesстатья Исследовательская статья Электронная публикация
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 февраля 2018 г.
- Авторы: Lee I.H., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Chung T.H., Lagov P.B., Zinov’ev R.A., Pearton S.J.
- Журнал: ECS Journal of Solid State Science and Technology
- Том: 6
- Номер: 10
- Год издания: 2017
- Издательство: Electrochemical Society, Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: Q127
- Последняя страница: Q131
- DOI: 10.1149/2.0131710jss
- Аннотация: Deep electron and hole trap spectra and electroluminescence (EL) efficiency of green multi-quantum-well (MQW) GaN/InGaN light emitting diodes were measured before and after 6 MeV electron irradiation. Starting with a fluence of 5 × 1015 cm−2, electron irradiation increased the concentration of existing electron traps with levels at Ec−0.5 eV and introduced new electron traps with levels near Ec−1 eV. The latter are the well known radiation defects formed in the GaN barriers of the GaN/InGaN MQW region. The degradation of the EL efficiency after irradiation correlates with changes of the Ec−0.5 eV and Ec−1 eV electron trap density, suggesting these are effective non-radiative recombination centers. By sharp contrast, the concentration of the dominant hole traps with levels near Ev+0.45 eV decreased after, which eliminates these from the role of Shockley-Read-Hall defects actively participating in recombination.
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | ECS_J._Solid_State_Sci._Technol.-2017-Lee-Q127-31.pdf | 575,6 КБ | 1 февраля 2018 [lagov2000] |