Исследование возможностей улучшения энергомассовых характеристик солнечных элементов с использованием процесса плазмохимического травлениястатьяИсследовательская статья
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 сентября 2018 г.
Аннотация:Проанализированы возможные технологические варианты утонения полупроводниковых подложек. Проведена экспериментальная оценка эффективности плазмохимического травления подложек монокристаллического германия с кристаллографической ориентацией (100), применяемых для выращивания гетероэпитаксиальных структур многокаскадных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений А III В V. Травление выполнено на установке реактивно-ионного травления с источником высокоплотной плазмы индукционного типа в газовой смеси (SF6 : Ar = 2 : 1) через различные фоторезистивные маски. Для масок на основе фоторезиста ФП-383 с шириной окна 2, 4 и 6,5 мкм травление выполнено на глубину 20 мкм. Для маски на основе фоторезиста ФН-11 с шириной окна 95 мкм травление выполнено на глубину 58 мкм. Отмечено уменьшение толщины маски на основе ФП-383 с 1,5 до 0,87 мкм, а также толщины маски на основе ФН-11 с 10 до 8 мкм. Установлено, что скорость травления, значения которой составили 2,1-3,3 мкм/мин, снижается с увеличением ширины окна маски по степенному закону. Сделан вывод о перспективности применения плазмохимического травления на заключительной стадии технологического процесса изготовления многокаскадных солнечных элементов традиционной и метаморфной конструкций для улучшения энергомассовых характеристик.