|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Преимущества высокотемпературного технологического облучения диодных матричных структур, применяемых в бортовой аппаратурестатья Исследовательская статья
- Авторы: Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
- Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
- Номер: 1-2
- Год издания: 1999
- Издательство: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов"
- Местоположение издательства: Лыткарино
- Первая страница: 118
- Последняя страница: 120
- Аннотация: 123
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович