|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние одноосного сжатия на поляризацию излучения диодов на основе гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAsтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Кубашевский Е.П., Минина Н.Я.
- Сборник: 37 совещание по физике низких температур. Программа и тезисы докладов. Казань, 29 июня – 3 июля 2015
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: Казанский федеральный университет Казань
- Первая страница: 163
- Последняя страница: 164
- Аннотация: Экспериментально и численными методами исследовано влияние одноосного сжатия на поляризацию излучения лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs. Установлена сильная зависимость поляризации от нагрузки, которая может даже приводить к смене доминирующей поляризационной моды.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович