|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Анизотропия подвижности двумерных носителей заряда в гетероструктурах GaAs/AlGaAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: 37 совещание по физике низких температур. Программа и тезисы докладов. Казань, 29 июня – 3 июля 2015
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: Казанский федеральный университет Казань
- Первая страница: 199
- Последняя страница: 200
- Аннотация: При одноосном сжатии до Р = 5 кбар в магнитных полях до 6 Тл выполнены исследования проводимости двумерных электронов и дырок на гетерогранице (001) GaAs/AlGaAs в направлениях [110] и [1-10]. Изучались сопротивление, эффект Холла и осцилляции Шубникова-де Гааза, что позволяло определять барические зависимости концентрации и подвижности двумерных носителей заряда.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович