|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Аспекты методики исследования стойкости интегральных микросхем (ИМС), эксперименты, модели повреждениякнига
- Авторы: Солодов А., Пирогов Ю., Ключник А.
- Год издания: 2012
- Место издания: LAP LAMBERT Academic Publishing Saarbrbruecken, Germany
- Объём: 77 страниц (5,0 печатных листов)
- ISBN: 978-3-8473-7026-0
- Монография
- Аннотация: Представлен анализ обратимых отказов возникающих в полупроводниковых приборах при воздействии на них радиоизлучения. Проанализированы функциональные сбои в бытовой электронной аппаратуре. Рассмотрены модели, используемые для анализа этих эффектов. Рассмотрены процессы вызывающие деградационные изменения в полупроводниковой структуре и металлизации приборов. Обсуждаются необратимые отказы полупроводниковых элементов и ИМС, которые обусловлены воздействием мощного импульсного видеоимпульса и радиоизлучения, а также влияние последовательности СВЧ импульсов на вероятность отказа ИМС и модели повреждения ИМС в полях радиоизлучения.
- Добавил в систему: Пирогов Юрий Андреевич