|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
НАНОСТРУКТУРЫ AIVBIV И AIIIBV ДЛЯ УСТРОЙСТВ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИкнига
- Авторы: ЧЕБОТАРЕВ С.Н., ЛУНИНА М.Л., АЛФИМОВА Д.Л.
- Год издания: 2014
- Место издания: Южный научный центр РАН Ростов-на-Дону
- Объём: 275 страниц
- ISBN: 978-5-4358-0086-9
- Монография
- Аннотация: Монография обобщает результаты научных исследований, проведенных авторами в Южном научном центре РАН. Рассмотрены закономерности получения и свойства полупроводниковых низкоразмерных гетеросистем AIVBIV и AIIIBV. Описаны ростовая аппаратура и аналитические методики исследования оптоэлектронных наноструктур. Представлены новые экспериментальные данные по ионно-лучевой кристаллизации гетероструктур с квантовыми точками для фотоэлектрических преобразователей и фотодетекторов. Проведены оригинальные расчеты фазовых диаграмм. Показано, что жидкофазная эпитаксия остается лидирующим технологическим методом получения четырех и пятикомпонентных наногетероструктур. Изучены особенности газофазной эпитаксии и исследованы функциональные характеристики выращенных лазерных диодных структур на квантовых ямах. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
- Добавил в систему: Чеботарев Сергей Николаевич