![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Работа по проекту в отчетном году была направлена на создание технологической и измерительно-аппаратной основы для успешного выполнения всех задач проекта. Это включало в себя, прежде всего, разработку и совершенствование способов изготовления высокотемпературных одноэлектронных молекулярных транзисторов и разработку методик измерения их характеристик. Кроме этого, были проведены теоретические исследования электронного транспорта в таких системах с целью расчета основных электрических параметров одноэлектронных молекулярных транзисторов. При этом получены следующие основные результаты: в части создания системы электродов молекулярного транзистора: разработана литографическая техника создания заготовки интегрированной системы электродов транзистора в виде системы нанопроводов на поверхности изолированного электрода управления разработана и изготовлена установка для проведения управляемого процесса разрыва изготовленных нанопроводов разработана управляющая программа, обеспечивающая выбранный и оптимизированный алгоритм проведения разрыва золотой пленки обеспечено формирование нанозазоров между электродами одноэлектронных молекулярных транзисторов шириной 2-7 нм с примерно 60 % выходом годных. в части создания молекулярной системы транзистора: показана возможность использования метода Ленгмюра-Блоджетт для создания молекулярной системы транзистора с массивом молекул в зазоре показана необходимость поиска путей обеспечения в рамках метода Ленгмюра-Блоджетт иммобилизации одиночных молекул/наночастиц нанесение частиц CdSe методом высушивания капли показало возможность такого пути для формирования опто-одноэлектронных планарных транзисторов. в теоретической части: предложен метод определения взаимной эффективной емкости для молекул, молекулярных кластеров и наночастиц, основанный на квантово-механическом расчете энергии взаимодействия заряженных объектов наномасштаба; рассчитана взаимная эффективная емкость для одинаковых молекул: карборана C2B10H12, имеющих собственные размеры 0,7 нм, при расстояниях между такими молекулами от 2 до 20 нм; показано, что рассчитанные величины близки к классическими оценкам при больших расстояниях, а на наиболее интересных для одноэлектроники расстояниях в несколько нанометров они на ~ 40% превышают их. Это показывает, что развитый метод позволяет установить масштаб расстояний между нанообъектами, при котором необходим учет квантовых поправок.