ИСТИНА

1. Экспериментально и теоретически исследована интерференция трех некомпланарных лазерных лучей в нелинейно-оптической среде – коллоидном растворе квантовых точек CdSe/ZnS. Продемонстрирована возможность создания перестраиваемых двумерных динамических фотонных кристаллов с различной пространственной симметрией. Сформированная динамическая структура дает возможность для тщательного анализа релаксационных процессов в квантовых точках. Обнаруженная самодифракция трех лазерных лучей, пересекающихся в кювете с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в случае однофотонного резонансного возбуждения экситонов объяснена их дифракцией на наведенном динамическом двумерном фотонном кристалле, который возникает за счет сосуществующих и конкурирующих процессов насыщения основного экситонного перехода и длинноволнового штарковского сдвига спектра экситонного поглощения. 2. Обнаружена самодифракция четырех лазерных лучей, пересекающихся в кювете с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в случае однофотонного резонансного возбуждения экситонов и объяснена их дифракцией на наведенном динамическом трехмерном фотонном кристалле. Было посчитано, что индуцированное изменение показателя преломления в областях с максимальным значением интенсивности может достигать значений Δn≅〖10〗^(-3). Такого изменения достаточно для образования двумерной нестационарной фазовой дифракционной решетки. 3. Обнаружен эффективный процесс самодифракции на наведенной в коллоидном растворе полупроводниковых КТ CdSe/ZnS дифракционной решетке в случае, когда суммарная энергия двух фотонов возбуждающего ее пикосекундного лазера отстроена как в длинноволновую, так и в коротковолновую область от резонансной частоты основного экситонного перехода. Выявлены сосуществующие и конкурирующие процессы, ответственные за возникновение как фазовой, так и амплитудной дифракционной решетки. При умеренных уровнях возбуждения образование фазовой дифракционной решетки объяснено четырехволновым процессом взаимодействия, для которого величина кубической нелинейной восприимчивости χ(3) зависит от интенсивности возбуждения из-за штарковского сдвига спектра экситонного поглощения. При этом меняется поглощение реального (экситонного) оптического перехода, заменяющего промежуточный для суммарной энергии двух фотонов виртуальный переход. Зависимость интенсивности самодифрагированных лучей от интенсивности возбуждающих импульсов лазера при больших уровнях возбуждения выше пятой степени может быть объяснена дополнительным процессом поглощения на двухфотонно возбужденных носителях, который может приводить к формированию не только фазовой, но и амплитудной дифракционной решетки. 4. Осуществлен простой способ подавления процесса самосинхронизации мод в наносекундном Nd3+:YAlO3-лазере с модулированной добротностью за счет установленного внутри резонатора элемента отрицательной обратной связи: двухфотонно поглощающей пластины монокристалла GaAs (полное подавление), кюветы с коллоидным раствором квантовых точек CdSe/ZnS (частичное подавление). Элемент отрицательной обратной связи, помещенный внутри резонатора пикосекундного импульсного лазера Nd3+:Y3Al5O12, работающего в режиме синхронизации мод, позволил увеличить число генерируемых импульсов в цуге и изменить распределение энергии по импульсам. 5. Дополнительно к ранее представленным экспериментальным работам по самодифракции на наведенном канале прозрачности в коллоидных квантовых точках было проведено компьютерное моделирование процесса самодифракции на наведенной диафрагме в случае однофотонного резонансного возбуждения основного экситонного перехода в коллоидных квантовых точках. Изучен процесс самодифракции типа Френеля на круглом отверстии и построено распределение интенсивности дифракционной картины по поперечному сечению в зависимости от интенсивности возбуждающих лазерных импульсов.