ИСТИНА

Разработана технология изготовленния большого количества тонких и узких нанопроводов-заготовок для проведения электромиграции. Все заготовки экспериментальных структур изготавливаются на одной подложке, что позволяет создавать их за один литографический цикл. Разработана методика создания сверхмалых (1 - 5 нм) нанозазоров между электродами молекулярных нанотранзисторов с выходом годных образцов более 80 %. Исследована заключительная стадия образования таких нанозазоров. Показано, что в ходе этой стадии проводимость нанопровода проходит через значения, кратные фундаментальному кванту проводимости. Исследован электронный транспорт через изготовленные нанозазоры, показан его туннельный характер, и определен порог перехода от режима прямого туннелирования к автоэлектронной эмиссии. Исследованы электрические характеристики изготовленных молекулярных одноэлектронных транзисторов на основе одиночных наночастиц при температурах 77 К и 300 К. Показана реализация режима коррелированного туннелирования электронов в созданных нанотранзисторах при комнатной температуре.