ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Работа по проекту в отчетном году была направлена на создание технологической и измерительно-аппаратной основы для успешного выполнения всех задач проекта. Это включало в себя, прежде всего, разработку и совершенствование способов изготовления высокотемпературных одноэлектронных молекулярных транзисторов и разработку методик измерения их характеристик. Кроме этого, были проведены теоретические исследования электронного транспорта в таких системах с целью расчета основных электрических параметров одноэлектронных молекулярных транзисторов.