ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Для получения методом ЖФЭ монокристаллических слоев Yb:YAB на срезах (1120), (2110) и (1011) кристаллов YAB использовались растворы–расплавы, содержащие 17 вес% Yb:YAB и 83 вес% растворителя сложного состава (см. выше). В интервале исследованных пересыщений для всех составов толщина слоя линейно зависит от продолжительности наращивания. Нормальные скорости кристаллизации V() слоев Yb:YAB изменяются в диапазоне 0.07-0.61 мкм/мин и согласуются с данными по кинетике роста объемных кристаллов YAB из растворов-расплавов на основе K2Mo3O10. Зависимость V() на сечениях {1120} и {2110} может быть аппроксимирована в виде параболы. В то же время, усредненные скорости роста граней с различными кристаллографическими индексами, например {1120}+{2110}, пропорциональны относительному пересыщению раствора-расплава. Проведенные исследования патентной чистоты технологических разработок свидетельствуют об их уникальности.