ИСТИНА

В ходе проекта было исследовано влияние фемтосекундной лазерной обработки на структуру и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H). Были найдены режимы обработки пленок, приводящие к частичной кристаллизации аморфных пленок. Объемная доля кристаллической фазы в материале и ее распределение по толщине пленок контролируются плотностью лазерной энергии и длиной волны импульсов. Наблюдаемые структурные изменения сопровождались изменением электрических и фотоэлектрических параметров пленок. Темновая проводимость пленок скачкообразно возрастала на несколько порядков величины, когда сформированных нанокристаллов становилось достаточно много для образования связанного канала между электрическими контактами. Фотопроводимость пленок изменяется не столь значительно после облучения a-Si:H лазерными импульсами. Это связано с низкой фоточувствительностью кристаллизованной части образцов. Данный факт, по нашему мнению, объясняется выходом атомов водорода из структуры пленок под действием лазерной обработки. В ходе проекта было показано, что выдерживание пленок в плазме водорода позволяет увеличить вклад нанокристаллов в фотопроводимость двухфазных пленок, сформированных при фемтосекундной лазерной обработке a-Si:H. Было показано, что фемтосекундная лазерная обработка пленок a-Si:H так же приводит к изменению морфологии поверхности пленок. На поверхности пленок формируются наноструктуры, размеры и геометрия распределения которых определяются интенсивностью и длиной волны излучения. Интересно, что при использовании лазерных импульсов с длиной волны в области прозрачности a-Si:H могут образовываться периодические поверхностные структуры, состоящие из чередующихся полос нанокристаллов и полостей. Пленки с подобной структурой поверхности проявляют высокую поляризационную чувствительность.