|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Усиление эффекта обменного смещения путем увеличения числа слоев в многослойных тонкопленочных структурахотчет
- Авторы: Чеченин Н.Г., Родионова В.В.
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Подразделение: Отдел физики атомного ядра
- Номер: 14-32-50871
- Год выпуска: 2015
- Количество страниц: 11
-
Аннотация:
-Изготовлены тонкопленочные структуры Ni75Fe25/Ir30Mn70, Ir30Mn70/Ni75Fe25, Ni75Fe25/Ir30Mn70/Ni75Fe25 с толщинами АФ слоя 2-20 нм; - Исследовано влияние толщины АФ слоя на эффект обменного смещения в полученных образцах; - Установлено влияние порядка осаждения слоев и их числа на эффект обменного смещения в полученных структурах; - Исследован механизм усиления эффекта обменного смещения в структурах Ni75Fe25/Ir30Mn70, Ir30Mn70/Ni75Fe25, Ni75Fe25/Ir30Mn70/Ni75Fe25 с альтернативным порядком осаждения слоев и с увеличенным числом слоев (два интерфейса по сравнению с одним, которые присутствует в двухслойных структурах); - Подготовлена статья для рецензируемого журнала, входящего в базу данных Web of Science.
- Добавил в систему: Чеченин Николай Гаврилович