Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Coutaz J.L.
Соавторы:
Шкуринов А.П.
,
Синько А.С.
,
Garet F.
,
Krivokorytov M.S.
,
Lakatosh B.V.
,
Tsygvintsev I.
,
Волошин А.Э.
,
Козлова Н.Н.
,
Котельников И.А.
,
Лобова Н.А.
,
Макаров В.А.
,
Маноменова В.Л.
,
Медведев В.В.
показать полностью...
,
Назаров М.М.
,
Ожередов И.А.
,
Руднева Е.Б.
,
Солянкин П.М.
4 статьи
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 12, Scopus: 14
IstinaResearcherID (IRID): 10390635
Деятельность
Статьи в журналах
2022
Perspective on Terahertz Applications of Molecular Crystals
Sinko Anton
,
Ozheredov Ilya
,
Rudneva Elena
,
Manomenova Vera
,
Kozlova Natalia
,
Lobova Natalia
,
Voloshin Alexey
,
Coutaz Jean-Louis
,
Shkurinov Alexander
в журнале
ELECTRONICS
, том 11, № 17, с. 2731
DOI
2020
Single Free-Falling Droplet of Liquid Metal as a Source of Directional Terahertz Radiation
Solyankin Petr M.
,
Lakatosh Bogdan V.
,
Krivokorytov Mikhail S.
,
Tsygvintsev Ilia P.
,
Sinko Anton S.
,
Kotelnikov Igor A.
,
Makarov Vladimir A.
,
Coutaz Jean-Louis
,
Medvedev Vyacheslav V.
,
Shkurinov Alexander P.
в журнале
Physical Review Applied
, том 14, № 3, с. 034033
DOI
2015
Characterization of Highly Doped Si Through the Excitation of THz Surface Plasmons
Nazarov M.M.
,
Shkurinov A.P.
,
Garet F.
,
Coutaz J.L.
в журнале
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
, том 5, № 4, с. 680-686
DOI
2015
Introduction to a Special Mini-Issue on Two Russian Organized Conferences With Focused THz Content
Shkurinov A.P.
,
Coutaz J.L.
в журнале
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
, том 5, № 4, с. 657-658
DOI